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针对薄型芯片晶圆SDBG工艺中的切割环节,支持Flash、DRAM等晶圆切割,应用于Flash Memory、Memory Controller等领域。
内容 | 技术参数 |
晶圆衬底 | Si衬底 |
晶圆尺寸 | 12英寸 |
X-Y平台行程 | 600mm×600mm |
切割速度 | 400mm-2000mm/s |
定位精度 | 重复定位精度:±1μ 定位精度:±1μm |
传输系统 | Load port, robot, aligner |
长x宽x高LxWxH | 2940mm*1600mm*2200mm |